کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411129 | 894548 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Body factor conscious modeling of single gate fully depleted SOI MOSFETs for low power applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Degradation of body factor (γ) and subthreshold factor (S) of single gate fully depleted SOI MOSFETs due to short channel effects has been studied analytically. The effect of source/drain fringing fields in buried oxide is found to play a more significant role in the reduction of body factor at smaller gate lengths. Present work provides the analytical expressions of effective back gate voltage, body factor and subthreshold factor of short channel fully depleted SOI MOSFETs. The results obtained are found in good approximation with 2D simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 6, June 2005, Pages 997-1001
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 6, June 2005, Pages 997-1001
نویسندگان
Anil Kumar, Toshiharu Nagumo, Gen Tsutsui, Tetsu Ohtou, Toshiro Hiramoto,