کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411170 | 894553 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An improved semi-classical Monte-Carlo approach for nano-scale MOSFET simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: An improved semi-classical Monte-Carlo approach for nano-scale MOSFET simulation An improved semi-classical Monte-Carlo approach for nano-scale MOSFET simulation](/preview/png/10411170.png)
چکیده انگلیسی
A conventional Monte-Carlo simulator has been extended to include electrostatic and transport effects that are most relevant for the analysis of nano-scale MOSFETs with either bulk or single and double gate silicon-on-insulator (SOI) architectures and silicon film thickness down to approximately 10Â nm. Corrections to the self-consistent electrostatic potential and a new model for the surface roughness scattering have been included. The effectiveness of the approach has been tested simulating carrier transport in a 25Â nm double gate SOI MOSFET. The simulation results point out the strong influence of the scattering on the ON current even in these ultra-scaled devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 727-732
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 727-732
نویسندگان
P. Palestri, S. Eminente, D. Esseni, C. Fiegna, E. Sangiorgi, L. Selmi,