کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10411174 894553 2005 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Beyond the conventional transistor
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Beyond the conventional transistor
چکیده انگلیسی
Recent progress in continuing CMOS scaling is accomplished by introducing new device structures and new materials. This paper reviews recent progress in new technology features for silicon CMOS. With the imminent perceived “end” of CMOS device scaling, there is renewed interest in other non-silicon-FET based device and system architectures. We will discuss the merits of various proposed devices and fabrication techniques and suggest areas for further study.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 755-762
نویسندگان
,