کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411178 | 894553 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of floating silicon film on small-signal parameters of fully depleted SOI-MOSFETs biased into accumulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Impact of floating silicon film on small-signal parameters of fully depleted SOI-MOSFETs biased into accumulation Impact of floating silicon film on small-signal parameters of fully depleted SOI-MOSFETs biased into accumulation](/preview/png/10411178.png)
چکیده انگلیسی
In this paper the impact of a floating silicon film in a fully depleted SOI-MOSFET is analyzed. A comprehensive explanation for the anomalous behavior of small-signal parameters of such SOI transistors is given and emphasized by the implementation into a physically based compact model, which is capable for circuit simulation of dual-gate transistors. A comparison of modeled small-signal parameters with results of numerical device simulation confirms the presented, truly physical approach for the modeling of floating-body effects in fully depleted SOI-MOSFETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 779-789
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 779-789
نویسندگان
Maciej Wiatr, Peter Seegebrecht,