کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411186 | 894553 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of aspect ratio on forward voltage drop in trench insulated gate bipolar transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of aspect ratio on forward voltage drop in trench insulated gate bipolar transistor Effect of aspect ratio on forward voltage drop in trench insulated gate bipolar transistor](/preview/png/10411186.png)
چکیده انگلیسی
An analytical model for the carrier density at the accumulation layer of TIGBT (Trench Insulated Gate Transistor) is presented in terms of the aspect ratio with the influence of the depth of the trench gate below the P base taken into account. Based on the model, analytic expressions for the potential drop on the drift region are derived using a linear dependence of the carrier density on the aspect ratio. The analytical results for the forward voltage drop show a good agreement with the numerical simulations using MEDICI.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 834-837
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 5, May 2005, Pages 834-837
نویسندگان
Jin-Woo Moon, Yearn-Ik Choi, Sang-Koo Chung,