کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411195 | 894558 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A silicon metal-semiconductor-metal photodetector macromodel for circuit simulations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, numerical device simulations are used to get insight into the DC and dynamic behavior of a CMOS metal-semiconductor-metal photodetector, to be used as a mixing device for active pixels based on a differential read-out concept. On the basis of simulation results, a simple electrical macromodel of the photosensor has been defined and implemented in the Cadence package using Spectre AHDL. The proposed macromodel is shown to accurately reproduce the numerical device simulation predictions in all the considered operation modes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 175-181
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 175-181
نویسندگان
Lucio Pancheri, Mauro Scandiuzzo, Gian-Franco Dalla Betta, David Stoppa, Fabrizio De Nisi, Lorenzo Gonzo, Andrea Simoni,