کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411203 | 894558 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the homogeneity of the turn-on process in high-voltage 4H-SiC thyristors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The homogeneity of the turn-on process in high-voltage 4H-SiC thyristors has been investigated for the first time. It is shown that, even at the holding current, which is the minimum possible current at which the thyristor is still turned on, the on-state occupies the whole area of the thyristor. During the turn-on transient, the current density distribution may be virtually homogeneous even at the turn-on front up to a current density of 1600Â A/cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 233-237
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 2, February 2005, Pages 233-237
نویسندگان
Michael E. Levinshtein, Pavel A. Ivanov, Anant K. Agarwal, John W. Palmour,