کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411585 | 894671 | 2016 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comprehensive comparison and experimental validation of band-structure calculation methods in III-V semiconductor quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present and thoroughly compare band-structures computed with density functional theory, tight-binding, k·p and non-parabolic effective mass models. Parameter sets for the non-parabolic Î, the L and X valleys and intervalley bandgaps are extracted for bulk InAs, GaAs and InGaAs. We then consider quantum-wells with thickness ranging from 3 nm to 10 nm and the bandgap dependence on film thickness is compared with experiments for In0.53Ga0.47As quantum-wells. The impact of the band-structure on the drain current of nanoscale MOSFETs is simulated with ballistic transport models, the results provide a rigorous assessment of III-V semiconductor band structure calculation methods and calibrated band parameters for device simulations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 92-102
Journal: Solid-State Electronics - Volume 115, Part B, January 2016, Pages 92-102
نویسندگان
George Zerveas, Enrico Caruso, Giorgio Baccarani, Lukas Czornomaz, Nicolas Daix, David Esseni, Elena Gnani, Antonio Gnudi, Roberto Grassi, Mathieu Luisier, Troels Markussen, Patrik Osgnach, Pierpaolo Palestri, Andreas Schenk, Luca Selmi, Marilyne Sousa,