کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411608 | 894761 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Traps centers impact on Silicon nanocrystal memories given by Random Telegraph Signal and low frequency noise
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠RTS analysis allows the determination of single trap energy level and localization. ⺠For 0.8 nm gate oxide thick, transport is governed by nc-Si and interface traps. ⺠RTS noise is the basic feature responsible for l/fγ noise in large area devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 1-7
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 1-7
نویسندگان
M. Trabelsi, L. Militaru, N. Sghaier, A. Souifi, N. Yacoubi,