کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10411610 894761 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device
چکیده انگلیسی
► Temperature model is constituted by an active region and a dispersed-heat region. ► Calculated and simulated the radius and crystalline fraction. ► Crystalline fraction and temperature increase with the reset voltage increasing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 13-17
نویسندگان
, , , ,