کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411610 | 894761 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Temperature model is constituted by an active region and a dispersed-heat region. ⺠Calculated and simulated the radius and crystalline fraction. ⺠Crystalline fraction and temperature increase with the reset voltage increasing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 13-17
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 13-17
نویسندگان
Daolin Cai, Zhitang Song, Houpeng Chen, Xiaogang Chen,