کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411612 | 894761 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comprehensive numerical simulation of threshold-voltage transients in nitride memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We present a complete model to describe charge trap devices behavior. ⺠In this study any mathematical aspect regarding holes and electrons is detailed modeled. ⺠Experimental data coming from different TANOS and SONOS devices are correctly reproduced.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 23-30
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 23-30
نویسندگان
Aurelio Mauri, Salvatore M. Amoroso, Christian Monzio Compagnoni, Alessandro Maconi, Alessandro S. Spinelli,