کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411618 | 894761 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical limitations of the diffusive approximation in semiconductor device modeling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Physical limitations of the diffusive approximation in semiconductor device modeling Physical limitations of the diffusive approximation in semiconductor device modeling](/preview/png/10411618.png)
چکیده انگلیسی
⺠New criteria for occurrence of the diffusion mode were formulated. ⺠The applicability limits of the diffusion approximation in simulation were found. ⺠The analytical results are confirmed by a numerical experiment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 60-67
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 60-67
نویسندگان
Tigran T. Mnatsakanov, Alexey G. Tandoev, Michael E. Levinshtein, Sergey N. Yurkov,