کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10411618 894761 2011 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical limitations of the diffusive approximation in semiconductor device modeling
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Physical limitations of the diffusive approximation in semiconductor device modeling
چکیده انگلیسی
► New criteria for occurrence of the diffusion mode were formulated. ► The applicability limits of the diffusion approximation in simulation were found. ► The analytical results are confirmed by a numerical experiment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 60-67
نویسندگان
, , , ,