کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411624 | 894761 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative study of quasi-static and normal capacitance-voltage characteristics in amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Capacitance-voltage (C-V) characteristics of amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) are comparatively investigated with two different measurement configurations. Normal gate-to-source/drain (S/D) C-V and quasi-static C-V curves are employed to characterize physical mechanisms with equivalent circuit models for a-IGZO TFTs. The difference between the normal C-V and the quasi-static C-V (QSCV) characteristics is investigated by the dependence on the gate voltage (VG), measurement configuration, and optical illumination. The discrepancy is analyzed to be due to a high hole barrier in the S/D contact region and a slow response of active bulk charges (Qloc and Qfree) in the a-IGZO active layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 95-99
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 95-99
نویسندگان
Sangwon Lee, Yong Woo Jeon, Sungchul Kim, Dongsik Kong, Dae Hwan Kim, Dong Myong Kim,