کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411625 | 894761 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies on vacuum deposited p-ZnTe/n-CdTe heterojunction diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We have fabricated p-ZnTe/n-CdTe heterojunction diode by vacuum deposition. ⺠We have determined the dominant conduction mechanisms in the heterojunction. ⺠Barrier height, width of the depletion region have been determined. ⺠A band diagram of the heterojunction has been drawn based on Anderson's Model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 100-103
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 100-103
نویسندگان
Gowrish K. Rao, Kasturi V. Bangera, G.K. Shivakumar,