| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 10411628 | 894761 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transconductance characteristics and plasma oscillations in nanometric InGaAs field effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Detection and generation in the TeraHertz range. ⺠Dispersion of plasma oscillations in nanometric MESFETs. ⺠Plasmonic noise of a two dimensional electron gas. ⺠The role of the gate in the control of the spectrum of 2D plasma oscillations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 116-119
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 116-119
نویسندگان
J.-F. Millithaler, J. Pousset, L. Reggiani, H. Marinchio, L. Varani, C. Palermo, P. Ziade, J. Mateos, T. González, S. Perez,