کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10411629 894761 2011 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear electron properties of an InGaAs/InAlAs-based ballistic deflection transistor: Room temperature DC experiments and numerical simulations
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nonlinear electron properties of an InGaAs/InAlAs-based ballistic deflection transistor: Room temperature DC experiments and numerical simulations
چکیده انگلیسی
► BDT is a novel device that is based upon an electron steering and a deflection effect. ► The BDT has a unique planar device capable to perform logic operations. ► The low gate capacitance should allow THz performance. ► BDT possesses both the positive and negative transconductance region. ► Ideal for frequency doubling at very high speeds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 120-129
نویسندگان
, , ,