کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411629 | 894761 | 2011 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear electron properties of an InGaAs/InAlAs-based ballistic deflection transistor: Room temperature DC experiments and numerical simulations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠BDT is a novel device that is based upon an electron steering and a deflection effect. ⺠The BDT has a unique planar device capable to perform logic operations. ⺠The low gate capacitance should allow THz performance. ⺠BDT possesses both the positive and negative transconductance region. ⺠Ideal for frequency doubling at very high speeds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 120-129
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 120-129
نویسندگان
Vikas Kaushal, Ignacio Iñiguez-de-la-Torre, Martin Margala,