کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411630 | 894761 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characteristics of nickel silicide-silicon heterojunction in suspended silicon nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Step-by-step silicidation of silicon nanowire. ⺠The penetration depth is proportional to the total annealing time. ⺠The current-voltage characteristics are modeled by back-to-back Schottky diodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 130-134
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 130-134
نویسندگان
Su Heon Hong, Myung Gil Kang, Byung-Sung Kim, Duk Soo Kim, Jae Hyun Ahn, Dongmok Whang, Sang Hoon Sull, Sung Woo Hwang,