کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411631 | 894761 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dynamic model of AlGaN/GaN HFET for high voltage switching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We analyze the channel and surface charge dynamics of a high voltage AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor (HFET) operating as a power switch. We demonstrate that operation in the voltage range exceeding 100Â V without field plates involves alternating of the surface compensating charge in the gate-drain spacing. Developed model predicts the switching speed limitation of power HFET determined by the surface recharge rate and provides new, voltage-scalable design approach of AlGaN/GaN power devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 135-140
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 135-140
نویسندگان
Alexei Koudymov,