کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411644 | 894761 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation evaluation of poly-Si TFTs by comparing normal and reverse characteristics and behavior analysis of hot-carrier degradation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We evaluate degradation of poly-Si TFTs by comparing normal and reverse characteristics. ⺠Symmetrical normal and reverse characteristics indicate Joule-heating degradation. ⺠Asymmetrical characteristics indicate hot-carrier degradation. ⺠Degradation occurrence is contrasted between standard and fine TFTs. ⺠Behavior of the hot-carrier degradation is analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 207-210
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 207-210
نویسندگان
Tomohiro Kasakawa, Hiroki Tabata, Ryo Onodera, Hiroki Kojima, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, Satoshi Inoue,