| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 10411644 | 894761 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Degradation evaluation of poly-Si TFTs by comparing normal and reverse characteristics and behavior analysis of hot-carrier degradation
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													سایر رشته های مهندسی
													مهندسی برق و الکترونیک
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠We evaluate degradation of poly-Si TFTs by comparing normal and reverse characteristics. ⺠Symmetrical normal and reverse characteristics indicate Joule-heating degradation. ⺠Asymmetrical characteristics indicate hot-carrier degradation. ⺠Degradation occurrence is contrasted between standard and fine TFTs. ⺠Behavior of the hot-carrier degradation is analyzed.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 207-210
											Journal: Solid-State Electronics - Volume 56, Issue 1, February 2011, Pages 207-210
نویسندگان
												Tomohiro Kasakawa, Hiroki Tabata, Ryo Onodera, Hiroki Kojima, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, Satoshi Inoue,