کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411664 | 894772 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A modified transferred-electron high-field mobility model for GaN devices simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A modified transferred-electron high-field mobility model for GaN devices simulation A modified transferred-electron high-field mobility model for GaN devices simulation](/preview/png/10411664.png)
چکیده انگلیسی
An approximation formula for electron high-field mobility in GaN is proposed. One is tested in wide range of temperatures and doping concentrations and is able to replicate the specific electron drift velocity dependence on electric field in GaN more accurately than conventionally used Canali and transferred-electron models. The simulations of the current-voltage characteristics of GaN metal-semiconductor-metal structure are performed for considered electron high-field mobility models. Simulations are compared with available experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 10, October 2005, Pages 1678-1682
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 10, October 2005, Pages 1678-1682
نویسندگان
Valentin O. Turin,