کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411682 | 894775 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of surface treatment on electrical properties of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents the effect of surface treatment on the electrical properties of an AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT). The extrinsic base surface of the HBT was treated in sequence with a (NH4)2Sx:H2OÂ =Â 1:1 solution, H2 plasma, and NH3 plasma. The treated HBT had a lower surface recombination current, base resistance, and low-frequency base current noise than the untreated HBT. These values decreased by 32%, 42%, and â¼3Â dB, respectively. Because of the reduced base resistance, the maximum frequency of oscillation fmax, which was 40.3Â GHz without surface treatment, improved to 57.8Â GHz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1335-1340
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1335-1340
نویسندگان
C.H. Baek, T.K. Oh, B.K. Kang,