کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411695 | 894775 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of InSb devices using drift-diffusion equations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Simulation of InSb devices using drift-diffusion equations Simulation of InSb devices using drift-diffusion equations](/preview/png/10411695.png)
چکیده انگلیسی
A methodology for simulation of InSb devices in commercial drift-diffusion simulators is presented. Material complexities, such as non-parabolicity, degeneracy, mobility and Auger recombination/generation are explained, and physics based models are developed. This methodology is then applied to the examination of low leakage, room temperature InSb photodiodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1414-1421
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 8, August 2005, Pages 1414-1421
نویسندگان
E. SijerÄiÄ, K. Mueller, B. PejÄinoviÄ,