کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411710 | 894783 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physics-based model of quantum-mechanical wave function penetration into thin dielectric films for evaluating modern MOS capacitors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We propose an analytical expression of the local carrier density inside silicon and SiO2 films assuming surface-accumulation and inversion conditions to simulate the capacitance of the modern MOS system. We assume a three-dimensional electron gas system and discuss the penetration of the electron wave function into SiO2 or high-k material films. It is demonstrated that this penetration slightly influences the capacitance-voltage characteristics. We show how the wave function penetration influences MOS capacitance under accumulation and inversion conditions by proposing advanced local carrier density models for electrons and holes. We also address the influence of the interlayer between the high-k material and the silicon substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 7, July 2005, Pages 1118-1126
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 7, July 2005, Pages 1118-1126
نویسندگان
Yasuhiko Nakamori, Kohei Moriguchi, Kenji Komiya, Yasuhisa Omura,