کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411724 | 894783 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical and structural properties of low-resistance Pt/Ag/Au ohmic contacts to p-type GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A Pt (20 nm)/Ag (50 nm)/Au (30 nm) metallization scheme has been investigated for producing low-resistance ohmic contacts to moderately doped p-type GaN (1.3 Ã 1017 cmâ3). It is shown that the as-deposited contacts exhibit a linear I-V characteristic with a specific contact resistance of 4.43 Ã 10â3 Ω cm2. The Pt/Ag/Au contact produced a specific contact resistance as low as 1.70 Ã 10â4 Ω cm2 after annealing at 800 °C for 1 min in a N2 atmosphere. It is further shown that the surface morphology of the contact annealed at 800 °C (RMS roughness of 19.9 nm) became somewhat degraded compared with that of the as-deposited one (RMS roughness of 3.3 nm). Based on the Auger electron microscopy and X-ray diffraction results, possible explanations for the improvement of the ohmic behavior are described.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 7, July 2005, Pages 1213-1216
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 7, July 2005, Pages 1213-1216
نویسندگان
V. Rajagopal Reddy, N. Ramesha Reddy, Chel-Jong Choi,