کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411915 | 894841 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modelling of the 1T-Bulk capacitor-less DRAM cell with improved performances: The way to scaling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modelling of the 1T-Bulk capacitor-less DRAM cell with improved performances: The way to scaling Modelling of the 1T-Bulk capacitor-less DRAM cell with improved performances: The way to scaling](/preview/png/10411915.png)
چکیده انگلیسی
As capacitor-less DRAM cell appears to be an interesting candidate for future embedded memory generations, we paid particular attention to overall performance and scalability of the 1T-Bulk concept. We have analysed this architecture through our analytical model. Then we have fabricated devices and we have measured the influence of different technological parameters: floating body doping level, gate length and gate oxide thickness. The 1T-Bulk cell is demonstrated to be a promising candidate for eDRAM applications up to the 45Â nm technological node.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1759-1766
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 11, November 2005, Pages 1759-1766
نویسندگان
R. Ranica, A. Villaret, P. Malinge, P. Candelier, P. Masson, R. Bouchakour, P. Mazoyer, T. Skotnicki,