کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411934 | 894849 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical study of the avalanche breakdown phenomenon in HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Physical study of the avalanche breakdown phenomenon in HEMTs Physical study of the avalanche breakdown phenomenon in HEMTs](/preview/png/10411934.png)
چکیده انگلیسی
The aim of this study is the physical understanding of the avalanche breakdown phenomenon in PHEMTs (AlGaAs/GaInAs/GaAs), in order to optimise the structure and to improve the breakdown voltage. It is therefore necessary to study the influence of the physical parameters on which this phenomenon depends, such as the layer structure, the doping concentration or the gate recess topology. The study is based on a two-dimensional hydrodynamic modelling, that takes electrons and holes into account, and shows that the highest breakdown voltage is obtained for a double step gate recess with two delta-doping layer plans.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 4, April 2005, Pages 535-544
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 4, April 2005, Pages 535-544
نویسندگان
M. Elkhou, M. Rousseau, H. Gerard, J.C. De Jaeger,