کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411937 | 894849 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A semi-empirical approach to study a high performance Poly-Si TFT with selectively floating a:Si layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a semi-empirical approach based on charge sheet model of Poly-Si TFT, valid in all regions to explain the electrical characteristics of a new Poly-Si TFT structure having an air-gap of thickness 50Â nm just below the channel region. The model predicts the output as well as the transfer characteristics of the device for various grain sizes. The presence of air-gap aims at increasing the effective field dependent mobility which eventually drastically improves the current driving capability and the performance of the device. The theoretical results have been compared with the experimental data to validate the present approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 4, April 2005, Pages 558-561
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 4, April 2005, Pages 558-561
نویسندگان
Simrata Bindra, Subhasis Haldar, R.S. Gupta,