کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413339 | 895562 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A qualitative study of the influence of confinement direction on phonon and interface roughness scattering in p-type FD/SOI devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work we present a theoretical study of the quantization in a p-type FD/SOI device with confinement in the main crystalline directions. To carry out this study, we solved the Schrödinger effective mass equation, taking into consideration non-parabolicity, warping and degeneracy of the silicon valence band. We investigated the relative populations of the lowest subbands, and proposed a set of subbands for the efficient analysis of hole dynamics. We also evaluated the phonon and interface roughness scattering rates to provide a qualitative picture of how confinement direction influences those rates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 9, September 2005, Pages 1454-1460
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 9, September 2005, Pages 1454-1460
نویسندگان
F.M. Gómez-Campos, S. RodrÃguez-BolÃvar, J.A. Jiménez-Tejada, J.E. Carceller,