کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413344 | 895562 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
FinFET analogue characterization from DC to 110Â GHz
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: FinFET analogue characterization from DC to 110Â GHz FinFET analogue characterization from DC to 110Â GHz](/preview/png/10413344.png)
چکیده انگلیسی
In this work the analogue performance of 50Â nm gate length FinFETs is investigated under static and dynamic conditions up to 110Â GHz. The fin width is shown to have a large impact on some analogue figures of merit such as the Early voltage because it determines the existence of volume inversion, full or partial depletion inside the fins. The RF measurements show that a non-uniform silicidation of the three-dimensional polysilicon gate can have a strong impact on the device maximum frequency of oscillation (fmax). However, it is also shown on the basis of experimental and modelled data that process optimization on the gate side as well as source/drain engineering should lead to fmax values higher than 250Â GHz, making FinFETs very promising devices for future use in RF applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 9, September 2005, Pages 1488-1496
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 9, September 2005, Pages 1488-1496
نویسندگان
D. Lederer, V. Kilchytska, T. Rudenko, N. Collaert, D. Flandre, A. Dixit, K. De Meyer, J.-P. Raskin,