کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413364 | 895565 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interfaces and defects of high-K oxides on silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The properties of oxides with high-dielectric constant are being extensively studied for use as gate oxides. The criteria for choosing such oxides is discussed. The bonding at Si-oxide interfaces is considered in order to obtain an insulating interface. The stabilities of various atomic configurations of interface are compared, and their band offsets are calculated. The energy levels of point defects are calculated and the origin of fixed charge present is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 283-293
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 283-293
نویسندگان
J. Robertson,