کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413371 | 895565 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photocapacitance of GaAs thin-film epitaxial structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A simple analytical model for calculating the high-frequency barrier capacitance of GaAs thin-film epitaxial structures both in the dark and under extrinsic illumination is presented. The model accounts for the space charge region at the film-substrate interface. The model shows that the photocapacitance of these structures has the form of a narrow peak located at the bias voltage, at which the barrier capacitance drops abruptly with reverse bias. The underlying physical mechanism is discussed. A method for predicting the MESFET threshold voltage based on the measured photocapacitance is proposed and tested.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 343-349
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 343-349
نویسندگان
Nikolai B. Gorev, Inna F. Kodzhespirova, Evgeny N. Privalov, Nina Khuchua, Levan Khvedelidze, Michael S. Shur,