کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413373 | 895565 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multiple negative-differential-resistance switches based on an InGaP/GaAs/InGaAs step-compositional-emitter bipolar transistor for multiple-valued logic application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A novel functional InGaP/GaAs/InGaAs step-compositional-emitter heterojunction bipolar transistor (HBT) is fabricated and demonstrated. Due to the avalanche multiplication and discontinuous confinement effects for electrons in the InGaAs quantum well and at InGaP/GaAs heterojunction, respectively, an interesting triple-route S-shaped negative-differential-resistance switch is observed under inverted operation mode at room temperature. In addition, the excellent transistor performances including a high current gain of 220 and a low offset voltage of 60Â mV are achieved under normal operation mode. Consequently, the device could be used for signal amplifier under normal operation mode and multiple-valued logic circuit application under inverted operation mode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 357-361
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 357-361
نویسندگان
Jung-Hui Tsai, King-Poul Zhu, Ying-Cheng Chu, Shao-Yen Chiu,