کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10430108 | 909879 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface and gate bias dependence responses of sensing organic thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of the exposure of organic thin-film transistors, comprising different organic semiconductors and gate dielectrics, to 1-pentanol are investigated. The transistor sensors exhibited an increase or a decrease of the transient source-drain current in the presence of the analyte, most likely as a result of a trapping or of a doping process of the organic active layer. The occurrence of these two effects, that can also coexist, depend on the gate-dielectric/organic semiconductor interface and on the applied gate field. Evidence of a systematic and sizable response enhancement for an OTFT sensor operated in the enhanced mode is also presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Biosensors and Bioelectronics - Volume 21, Issue 5, 15 November 2005, Pages 782-788
Journal: Biosensors and Bioelectronics - Volume 21, Issue 5, 15 November 2005, Pages 782-788
نویسندگان
Maria Cristina Tanese, Daniel Fine, Ananth Dodabalapur, Luisa Torsi,