دانلود رایگان مقاله ISI : مدارهای ترانزیستور میدان مغناطیسی آلی با استفاده از دی الکتریکهای دروازه ای اتمسفری با استفاده از علامت معکوس

Organic field-effect transistor circuits using atomic layer deposited gate dielectrics patterned by reverse stamping

Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 12, December 2014, Pages 3780-3786

Sangmoo Choi, Canek Fuentes-Hernandez, Minseong Yun, Amir Dindar, Talha M. Khan, Cheng-Yin Wang, Bernard Kippelen,