کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10566060 972196 2014 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect-controlled synthesis of graphene based nano-size electronic devices using in situ thermal treatment
ترجمه فارسی عنوان
سنتز کنترل شده توسط نقص از دستگاه های الکترونیکی نانو اندازه گیری گرافن با استفاده از گرما درمان در محل
کلمات کلیدی
اکسید گرافیت، چند لایه، گرافن، ترانزیستور میدان اثر،
ترجمه چکیده
در اینجا سنتز، خصوصیات و عملکردهای پیشرفته ترانزیستورهای نازک بر اساس گرافن از روش حرارتی ارائه شده است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش مقاله
سنتز کنترل شده توسط نقص از دستگاه های الکترونیکی نانو اندازه گیری گرافن با استفاده از گرما درمان در محل
چکیده انگلیسی
We present here the synthesis, characterization, and enhanced performances of thin film transistors based on graphene from thermal treatment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 3, March 2014, Pages 685-691
نویسندگان
, , , , , , , , ,