کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566804 | 972351 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonvolatile memory devices based on electrical conductance tuning in poly(N-vinylcarbazole)-graphene composites
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Nonvolatile memory devices based on PVK-graphene composite are fabricated. ⺠Conductance behaviors can be tuned by controlling the content of graphene. ⺠The OFF and ON states of the WORM and rewritable memory devices are stable. ⺠Memory mechanism is deduced from the modeling of the currents in both states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1289-1295
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1289-1295
نویسندگان
Qiang Zhang, Jie Pan, Xiang Yi, Liang Li, Songmin Shang,