کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10566804 972351 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonvolatile memory devices based on electrical conductance tuning in poly(N-vinylcarbazole)-graphene composites
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nonvolatile memory devices based on electrical conductance tuning in poly(N-vinylcarbazole)-graphene composites
چکیده انگلیسی
► Nonvolatile memory devices based on PVK-graphene composite are fabricated. ► Conductance behaviors can be tuned by controlling the content of graphene. ► The OFF and ON states of the WORM and rewritable memory devices are stable. ► Memory mechanism is deduced from the modeling of the currents in both states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 8, August 2012, Pages 1289-1295
نویسندگان
, , , , ,