Keywords: دستگاه های حافظه; Natural biomaterials; Nonvolatile; Resistive switching; Memory devices; Environment-friendly;
مقالات ISI دستگاه های حافظه (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Regulating the electrical bistable memory characteristics in functional polyimides by varying the spatial position of the electron-donating species
Keywords: دستگاه های حافظه; Memory devices; Spatial position; Charge-trapping;
Reproducible switching effect of an all-inorganic halide perovskite CsPbBr3 for memory applications
Keywords: دستگاه های حافظه; All-inorganic halide perovskite; CsPbBr3; Resistance switching; Memory devices;
Fabrication and properties of Nd3+-doped ferroelectric barium bismuth titanate glass-ceramic nanocomposites
Keywords: دستگاه های حافظه; Glass-ceramics; Ferroelectric; Luminescence; Barium bismuth titanate; Memory devices
Electrical bistability studies on vacuum evaporated copper phthalocyanine (CuPc)/fullerene (C60) bilayers
Keywords: دستگاه های حافظه; Organic compounds; Fullerenes; Thin films; Vacuum deposition; Electrical properties; Memory devices
The effect of annealing atmosphere on the (HfO2)0.9(Al2O3)0.1 based charge trapping nonvolatile memory
Keywords: دستگاه های حافظه; Charge trap; Annealing atmosphere; Memory devices; Atomic layer deposition; Thin films;
Microstructural effect of gadolinium oxide nanocrystals upon annealing on electrical properties of memory devices
Keywords: دستگاه های حافظه; Nanocrystals; Memory devices; Transmission electron microscopy; Inter-difussion
Modeling of phosphorus deactivation in polysilicon for simulation of memory process in nanometer era
Keywords: دستگاه های حافظه; Deactivation; Phosphorus; Polysilicon; Annealing; Modeling; Memory devices
Microstructure and electrical properties of sol-gel derived Ni-doped CaCu3Ti4O12 ceramics
Keywords: دستگاه های حافظه; CaCu3Ti4O12; sol-gel; capacitors; memory devices; electrical properties; microstructure; phase transition;
Nonvolatile memory devices based on electrical conductance tuning in poly(N-vinylcarbazole)-graphene composites
Keywords: دستگاه های حافظه; Conductance tuning; Graphene; Memory devices; Poly(N-vinylcarbazole);
Resistance change in memory structures integrating CuTCNQ nanowires grown on dedicated HfO2 switching layer
Keywords: دستگاه های حافظه; Resistive switching; Memory devices; CuTCNQ complex; Conductive-AFM; Redox process;
Memory effects in MIS structures based on silicon and polymethylmethacrylate with nanoparticle charge-storage elements
Keywords: دستگاه های حافظه; Gold nanoparticles; C60; Carbon nanotubes; PMMA; Memory devices
Dynamic behavior of charge in MOS devices embedded with Pt and Au nanoparticles
Keywords: دستگاه های حافظه; Metallic nanoparticles; Memory devices; Nanocrystals; Retention time
Soluble dendrimers europium(III) β-diketonate complex for organic memory devices
Keywords: دستگاه های حافظه; Memory devices; Dendrimers molecules; Europium complex; Organic electrically bistable memory device
Memory effects in hybrid silicon-metallic nanoparticle-organic thin film structures
Keywords: دستگاه های حافظه; 72.80.Le; 81.07.Pr; 81.16.Dn; 82.35.NpGold nanoparticles; Pentacene; Memory devices; PMMA
Study of charge storage characteristics of memory devices embedded with metallic nanoparticles
Keywords: دستگاه های حافظه; Nanoparticles; Memory devices; Nanocrystals; Metallic; Retention time
Fabrication and electrical characterization of a MOS memory device containing self-assembled metallic nanoparticles
Keywords: دستگاه های حافظه; 85.35.Gv; 73.23; 68.37; 81.16.Dn; 81.15.Ef; 85.30Nanoparticles; Memory devices; Nanocrystals; Metallic; High-k dielectric
Photo induced memory devices using conducting polymer, poly(3-hexylthiophene) thin films
Keywords: دستگاه های حافظه; Conducting polymer; Poly(3-hexylthiophene); Light induced memory; Depletion layer; Memory devices
Single-electron phenomena in ultra-scaled floating-gate devices and their impact on electrical characteristics
Keywords: دستگاه های حافظه; Single-electron effects; Nanoscale floating-gate; Memory devices; Non-volatile memory;