کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10625275 | 989622 | 2014 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative study of the sintering process and thin film sputtering of AZO, GZO and AGZO ceramics targets
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Experimental results showed that when co-doped by 1.5 mol% Al and 0.5 mol% Ga, the Al-Ga co-doped ZnO targets had higher maximum relative densities and lower minimum resistivities than the 2 mol% Al doped ZnO and 0.5 mol% Ga doped ZnO targets. In addition, the AGZO thin film had better electrical properties than the other two thin films. The lowest resistivity of 8.12Ã10â4 Ω cm was achieved on AGZO thin films deposited at 200 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 40, Issue 8, Part B, September 2014, Pages 12905-12915
Journal: Ceramics International - Volume 40, Issue 8, Part B, September 2014, Pages 12905-12915
نویسندگان
Jia Liu, Weijia Zhang, Dengyuan Song, Qiang Ma, Lei Zhang, Hui Zhang, Xiaobo Ma, Haiyang Song,