کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10639900 | 995734 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect annealing processes for polycrystalline silicon thin-film solar cells
ترجمه فارسی عنوان
فرایند انحلال نقص برای سلول های خورشیدی نازک سیلیکون پلی کریستالی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پردازش سریع سریع انلینگ، عیوب، سیلیکون، سلول های خورشیدی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
⺠Defect annealing processes were applied to polycrystalline silicon thin films. ⺠Conventional rapid thermal annealing was compared to novel annealing processes using a laser system and a zone-melting recrystallization setup. ⺠The open circuit voltages could be enhanced from below 170 mV up to 482 mV. ⺠Increase in Sun's-VOC values with decrease in FWHM of the TO Raman phonon of crystalline silicon. ⺠Solar cells were fabricated for I-V-measurements: Best solar cell efficiency of 6.7%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 178, Issue 9, 15 May 2013, Pages 670-675
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 178, Issue 9, 15 May 2013, Pages 670-675
نویسندگان
S. Steffens, C. Becker, J.-H. Zollondz, A. Chowdhury, A. Slaoui, S. Lindekugel, U. Schubert, R. Evans, B. Rech,