کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10668312 | 1008353 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of vapor pressure of 1,4-bis(trimethylsilyl)benzene in developing silicon carbide thin film using a plasma-assisted liquid injection chemical vapor deposition process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Single-stage mass loss and moderate vapor pressure favor TMSB as an ideal precursor. ⺠Temperature dependence of vapor pressure and enthalpies of TMSB is new. ⺠Promising SiC coating obtained from TMSB and TMSA as precursors at 573 K. ⺠More hydrogen in TMSB is favorable for pure SiC formation than MTS.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 205, Issue 11, 25 February 2011, Pages 3493-3498
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 205, Issue 11, 25 February 2011, Pages 3493-3498
نویسندگان
J. Selvakumar, D. Sathiyamoorthy, K.S. Nagaraja,