کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10668564 | 1008373 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Etching mechanisms during plasma jet machining of silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Furthermore, etching experiments under sample heating have been carried out for different [CF4]/[O2] mixtures to obtain the activation energy of fluorine and oxygen with the surface. A minimum in the etching rate at a temperature of approximately 150 °C has been found. Therefore XPS and SEM analyses have been carried out for surfaces etched at sample temperatures of 25 °C, 150 °C and 400 °C showing an elevated fraction of silicon oxides and film thickness at 150 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 205, Supplement 2, 25 July 2011, Pages S430-S434
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 205, Supplement 2, 25 July 2011, Pages S430-S434
نویسندگان
Inga-Maria Eichentopf, Georg Böhm, Thomas Arnold,