کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10672443 | 1009859 | 2015 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Density functional theory for field emission from carbon nano-structures
ترجمه فارسی عنوان
نظریه کاربردی تراکم برای انتشار میدان از نانو ساختارهای کربنی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
انتشار میدان الکترونی، تئوری کاربردی تراکم، نانولوله کربنی، گرافن،
ترجمه چکیده
انتشار میدان الکترونی به عنوان یک مشکل مکانیک مکانیکی کوانتومی در نظر گرفته می شود که در آن یک ذره ی الکترونیک از امیتر به الکترون در خلاء تبدیل می شود. مفاهیم بنیادی انتشار میدان، از قبیل فاکتور افزایش میدان، عملکرد کار، لبه مانع و تراکم جریان خروجی، با استفاده از نانولوله های کربن و گرافن به عنوان نمونه مورد بررسی قرار می گیرند. الگوریتم چند مقیاس مبتنی بر نظریه کاربردی چگالی معرفی شده است. ما استدلال خواهیم کرد که چنین روشی مبتنی بر اصل اول ضروری و مناسب برای انتشار میدان نانو ساختارها است، نه تنها برای توصیف دقیق تر کمی، بلکه مهمتر از آن، برای درک عمیق تر در انتشار میدان.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Electron field emission is understood as a quantum mechanical many-body problem in which an electronic quasi-particle of the emitter is converted into an electron in vacuum. Fundamental concepts of field emission, such as the field enhancement factor, work-function, edge barrier and emission current density, will be investigated, using carbon nanotubes and graphene as examples. A multi-scale algorithm basing on density functional theory is introduced. We will argue that such a first principle approach is necessary and appropriate for field emission of nano-structures, not only for a more accurate quantitative description, but, more importantly, for deeper insight into field emission.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 2, December 2015, Pages 162-172
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 2, December 2015, Pages 162-172
نویسندگان
Zhibing Li,