کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10672478 | 1009859 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mapping interfacial excess in atom probe data
ترجمه فارسی عنوان
تطبیق بیش از حد اطلاعات در پروب اتم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
توموگرافی پروب اتم رابط، مرز دانه، نقشه برداری بیش از حد میان، تحلیل داده ها،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Using modern wide-angle atom probes, it is possible to acquire atomic scale 3D data containing 1000Â s of nm2 of interfaces. It is therefore possible to probe the distribution of segregated species across these interfaces. Here, we present techniques that allow the production of models for interfacial excess (IE) mapping and discuss the underlying considerations and sampling statistics. We also show, how the same principles can be used to achieve thickness mapping of thin films. We demonstrate the effectiveness on example applications, including the analysis of segregation to a phase boundary in stainless steel, segregation to a metal-ceramic interface and the assessment of thickness variations of the gate oxide in a fin-FET.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 2, December 2015, Pages 438-444
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 2, December 2015, Pages 438-444
نویسندگان
Peter Felfer, Barbara Scherrer, Jelle Demeulemeester, Wilfried Vandervorst, Julie M. Cairney,