کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10672496 | 1009866 | 2015 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A scanning microscopy technique based on capacitive coupling with a field-effect transistor integrated with the tip
ترجمه فارسی عنوان
یک روش میکروسکوپی اسکن بر اساس کوپلینگ خازنی با یک ترانزیستور اثر میدان که یکپارچه با نوک است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
میکروسکوپ پروب اسکن ترانزیستور فلز-اکسید نیمه هادی، میدان الکتریکی سطحی، مدولاسیون دامنه، ظرفیت محلی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We propose a method for measuring the capacitance of a thin layer using a Tip-on-Gate of Field-Effect Transistor (ToGoFET) probe. A ToGoFET probe with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with an ion-implant channel was embedded at the end of a cantilever and a Pt tip was fabricated using micro-machining. The ToGoFET probe was used to detect an alternating electric field at the dielectric surface. A dielectric buried metal sample was prepared; a sinusoidal input signal was applied to the buried metal lines; and the ToGoFET probe detected the electric field at the tip via the dielectric. The AC signal detected by the ToGoFET probe was demodulated by a simple AC-to-DC converter. Experimentally, it was shown that an electric field could be measured at the surface of the dielectric layer above a buried metal line. This promising result shows that it is possible to measure the surface local capacitance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 1, December 2015, Pages 1-10
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 1, December 2015, Pages 1-10
نویسندگان
Kumjae Shin, Dae sil Kang, Sang hoon Lee, Wonkyu Moon,