کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10672496 1009866 2015 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A scanning microscopy technique based on capacitive coupling with a field-effect transistor integrated with the tip
ترجمه فارسی عنوان
یک روش میکروسکوپی اسکن بر اساس کوپلینگ خازنی با یک ترانزیستور اثر میدان که یکپارچه با نوک است
کلمات کلیدی
میکروسکوپ پروب اسکن ترانزیستور فلز-اکسید نیمه هادی، میدان الکتریکی سطحی، مدولاسیون دامنه، ظرفیت محلی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We propose a method for measuring the capacitance of a thin layer using a Tip-on-Gate of Field-Effect Transistor (ToGoFET) probe. A ToGoFET probe with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with an ion-implant channel was embedded at the end of a cantilever and a Pt tip was fabricated using micro-machining. The ToGoFET probe was used to detect an alternating electric field at the dielectric surface. A dielectric buried metal sample was prepared; a sinusoidal input signal was applied to the buried metal lines; and the ToGoFET probe detected the electric field at the tip via the dielectric. The AC signal detected by the ToGoFET probe was demodulated by a simple AC-to-DC converter. Experimentally, it was shown that an electric field could be measured at the surface of the dielectric layer above a buried metal line. This promising result shows that it is possible to measure the surface local capacitance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 1, December 2015, Pages 1-10
نویسندگان
, , , ,