کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10676109 | 1011264 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase change and optical band gap behavior of Ge-Te-Ga thin films prepared by thermal evaporation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Ge11.4Te86.4Ga2.2 thin film has good thermal stability. ⺠Ge11.4Te86.4Ga2.2 thin film has high crystalline resistance. ⺠Ge11.4Te86.4Ga2.2 thin film has wide optical band gap. ⺠Ge11.4Te86.4Ga2.2 has a high amorphous/crystalline resistance ratio of about 105.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 86, Issue 10, 27 April 2012, Pages 1572-1575
Journal: Vacuum - Volume 86, Issue 10, 27 April 2012, Pages 1572-1575
نویسندگان
Guoxiang Wang, Qiuhua Nie, Xiang Shen, Fen Chen, Jun Li, Wei Zhang, Tiefeng Xu, Shixun Dai,