کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10676109 1011264 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase change and optical band gap behavior of Ge-Te-Ga thin films prepared by thermal evaporation
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Phase change and optical band gap behavior of Ge-Te-Ga thin films prepared by thermal evaporation
چکیده انگلیسی
► Ge11.4Te86.4Ga2.2 thin film has good thermal stability. ► Ge11.4Te86.4Ga2.2 thin film has high crystalline resistance. ► Ge11.4Te86.4Ga2.2 thin film has wide optical band gap. ► Ge11.4Te86.4Ga2.2 has a high amorphous/crystalline resistance ratio of about 105.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 86, Issue 10, 27 April 2012, Pages 1572-1575
نویسندگان
, , , , , , , ,