کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707089 | 1023607 | 2012 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of 3C-SiC growth on Si(111) by vapor-liquid-solid transport using a SiGe liquid phase
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of 3C-SiC growth on Si(111) by vapor-liquid-solid transport using a SiGe liquid phase Investigation of 3C-SiC growth on Si(111) by vapor-liquid-solid transport using a SiGe liquid phase](/preview/png/10707089.png)
چکیده انگلیسی
⺠The growth of 3C-SiC layers onto silicon substrate by VLS transport was investigated. ⺠A SiGe alloy was used as the liquid phase. ⺠Different ways of liquid localization were tested. ⺠Nucleation of SiC from the liquid phase requires using a 3C-SiC seeding layer. ⺠For the best conditions, epitaxial 3C-SiC trapezoidal islands were formed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 354, Issue 1, 1 September 2012, Pages 119-128
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 354, Issue 1, 1 September 2012, Pages 119-128
نویسندگان
Stéphane Berckmans, Laurent Auvray, Gabriel Ferro, François Cauwet, Véronique Soulière, Emmanuel Collard, Christian Brylinski,