کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707122 | 1023607 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠CdTe layers deposited with an inline AP-MOCVD process as an alternative path to high throughput process. ⺠Over 40% material utilisation can be achieved depending on deposition parameters. ⺠Substrate temperature and total flow were critical parameters. ⺠The activation energy was found to be 49 kJ molâ1 and in agreement with literature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 354, Issue 1, 1 September 2012, Pages 81-85
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 354, Issue 1, 1 September 2012, Pages 81-85
نویسندگان
V. Barrioz, G. Kartopu, S.J.C. Irvine, S. Monir, X. Yang,