کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10707122 1023607 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
چکیده انگلیسی
► CdTe layers deposited with an inline AP-MOCVD process as an alternative path to high throughput process. ► Over 40% material utilisation can be achieved depending on deposition parameters. ► Substrate temperature and total flow were critical parameters. ► The activation energy was found to be 49 kJ mol−1 and in agreement with literature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 354, Issue 1, 1 September 2012, Pages 81-85
نویسندگان
, , , , ,