کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10707146 1023631 2011 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-seeded, position-controlled InAs nanowire growth on Si: A growth parameter study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Self-seeded, position-controlled InAs nanowire growth on Si: A growth parameter study
چکیده انگلیسی
► Position controlled self-seeded InAs nanowire growth on Si is studied. ► The influence of a SiO2 mask gives information on the growth mechanism. ► An optimum indium particle size range for nanowire nucleation exists. ► The In particle size depends on SiO2 layer opening size and process conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 51-56
نویسندگان
, , , , , , , , ,