کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707146 | 1023631 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-seeded, position-controlled InAs nanowire growth on Si: A growth parameter study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Position controlled self-seeded InAs nanowire growth on Si is studied. ⺠The influence of a SiO2 mask gives information on the growth mechanism. ⺠An optimum indium particle size range for nanowire nucleation exists. ⺠The In particle size depends on SiO2 layer opening size and process conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 51-56
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 51-56
نویسندگان
Bernhard Mandl, Anil W. Dey, Julian Stangl, Mirco Cantoro, Lars-Erik Wernersson, Günther Bauer, Lars Samuelson, Knut Deppert, Claes Thelander,