کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707168 | 1023631 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study of highly crystalline novel beryllium oxide film using atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠BeO is an excellent electrical insulator, but good thermal conductor. ⺠Highly crystalline film of novel BeO has been grown using ALD. ⺠ALD BeO precursor is not commercially available so it is synthesized directly. ⺠ALD BeO crystallinity has been investigated in this study.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 126-133
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 334, Issue 1, 1 November 2011, Pages 126-133
نویسندگان
J.H. Yum, T. Akyol, M. Lei, D.A. Ferrer, Todd.W. Hudnall, M. Downer, C.W. Bielawski, G. Bersuker, J.C. Lee, S.K. Banerjee,