کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707442 | 1023647 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism and modeling of silicon carbide formation and engulfment in industrial silicon directional solidification growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Mechanism and modeling of silicon carbide formation and engulfment in industrial silicon directional solidification growth Mechanism and modeling of silicon carbide formation and engulfment in industrial silicon directional solidification growth](/preview/png/10707442.png)
چکیده انگلیسی
This paper proposes a mechanism of carbon species formation and transport in the gas phase and silicon carbide particle formation and engulfment in the liquid phase. A numerical model considering various forces acting on silicon carbide particles is developed to quantify particle transport and particle engulfment. Numerical simulations are conducted to study fluid flow and temperature distribution in an industrial directional solidification system and particle distribution in the solidified silicon. Strategies to reduce carbon contamination and improve ingot quality are proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 313-317
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 313-317
نویسندگان
Lili Zheng, Xu Ma, Dongli Hu, Hui Zhang, Tao Zhang, Yuepeng Wan,